Samsung ra mắt DRAM DDR5 12 nm đầu tiên

Samsung đã công bố phiên bản cập nhật của 16 Gb DDR5 DRAM vào ngày hôm nay. Bộ nhớ này được phát triển dựa trên quy trình công nghệ lớp 12nm, nâng cấp từ sản phẩm EUV 14nm hiện có trên thị trường.

DRAM DDR5 mới cũng được công bố là tương thích với các sản phẩm của AMD - nó đã được tối ưu hóa và xác thực trên nền tảng Zen.

Jooyoung Lee, EVP của DRAM Product & Technology tại Samsung, cho biết tiêu chuẩn mới sẽ là yếu tố quyết định chính trong việc thúc đẩy việc áp dụng DRAM DDR5 trên toàn thị trường.

Sản phẩm được sản xuất với vật liệu mới làm tăng điện dung của tế bào và công nghệ thiết kế độc quyền giúp cải thiện các đặc tính mạch quan trọng.

DRAM mới dựa trên kỹ thuật in khắc EUV (Cực tím), cho phép mật độ khuôn cao hơn và năng suất tấm wafer tốt hơn 20%. Nó cũng tiêu thụ ít điện năng hơn 23%, mở ra cơ hội cho các công ty CNTT áp dụng cho các sản phẩm thân thiện với môi trường.

Các thẻ nhớ đầu tiên với DRAM DDR5 mới dự kiến sẽ bắt đầu được bán vào năm 2023.